IGBT транзистор GT50J325 предназначен для быстрых переключений больших мощностей на рабочей частоте 50кГц.Имеет быстровосстанавливающийся диод между коллектором и эмиттером.
- напряжение коллектор-эмиттер 600В
- напряжение затвор-эмиттер 20В
- ток коллектора 50А
- в импульсе 1мС 100А
- рассеиваемая мощность 240Вт
- ток утечки затвора 500нА
- обратный ток коллектора 1мА
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2-2.45В
- Входная емкость-7900пФ
- время открытия транзистора 0.09мкС
- время нарастания импульса открытия 0.07мкС
- время закрытия транзистора 0.30мкС
Комментариев нет:
Отправить комментарий