IGBT транзистор HGTG30N60A4.Этот транзистор имеет высокий входной импеданс полевого транзистора и низкие потери проводимости биполярного.Небольшое падение напряжения при температуре 25-150С.Идеально подходит для коммутации больших напряжений на высоких частотах с низкими потерями проводимости.Транзистор предназначен для работ в импульсных источниках питания.
- напряжение коллектор-эмиттер 600В
- ток коллектора 75А
- при 100С 60А
- ток импульсный 240А
- напряжение затвор-эмиттер 20В в импульсе 30В
- рассеиваемая мощность 463Вт
- ток утечки коллектор-эмиттер при t25С 250мкА
- напряжение насыщения 1.8-2.6В
- пороговое напряжение затвор-эмиттер 4.5-7В
- ток утечки затвор-эмиттер 250нА
- время открытия транзистора 25нС
- время нарастания импульса открытия 12нС
- время закрытия транзистора 150нС
- на частоте 100кГц при напряжении 390В ток 30А
- на 200кГц ток при напряжении 390В 18А
Комментариев нет:
Отправить комментарий