Транзистор кремниевый эпитаксиальный n-p-n проводимости низкочастотный мощный.Применяется в схемах выходных каскадов строчной развертки телевизоров,в усилителях низкой частоты.Корпус металлостеклянный или пластмасса.
Характеристики транзистора:
-напряжение коллектор-эмиттер КТ805А,Б-60В; КТ805АМ,БМ,ВМ-60В
-ток коллектора 5А
-напряжение эмиттер- база 5В
-граничная частота 20МГц
-рассеиваемая мощность 30 Вт
Комментариев нет:
Отправить комментарий