Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные КТ818-КТ819,универсальные мощные низкочастотные,являются комплементарной парой.Применяют в усилителях низкой частоты,операционных и дифференциальных усилителях,в преобразователях и импульсных схемах.В пластмассовом и металлостеклянном корпусе.
Характеристики транзистора КТ818 p-n-p:
-напряжение коллектор-эмиттер А-25В Б-40В В-60В Г-80В; 2Т818А-80В, Б-60В, В-40В
-напряжение база-эмиттер 5 В
-постоянный ток коллектора КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г-10 А
-2Т818А,Б,В,АМ,БМ,ВМ,ГМ -15 А
-постоянный ток базы 3А
-рассеиваемая мощность 60/100 Вт
-граничная частота коэффициента передачи тока 3 МГц
Характеристики(предельные) транзистора КТ819 n-p-n:
-напряжение коллектор-база 2Т819А-25В, 2Т819Б-40В, 2Т819В-60В
-напряжение коллектор-эмиттер Кт819А КТ819АМ-40В; КТ819Б КТ819БМ-50В; КТ819В КТ819ВМ-70В; 2Т819А КТ819Г КТ819ГМ-100В; 2Т819Б-80В; 2Т819В-60В.
-напряжение база-эмиттер 5В
-ток коллектора КТ819А,Б,В,Г-10А; 2Т819А,Б,В,КТ819АМ,БМ,ВМ,ГМ- 15А
-постоянный ток базы 3А
-граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 3-12 МГц
Комментариев нет:
Отправить комментарий